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2024-08-29 01:50:57

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  免费在线.2可编程逻辑器件 PAL异或型输出结构 4.GAL及其应用 GAL阵列结构同PAL一样,也是由可编程的与阵列和固定的或阵列构成。GAL采用的是电可擦除的编程方式,不仅可以反复编程,而且还节省了芯片的面积,利于集成度的提高,可以实现较为复杂的逻辑函数。 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 第12章信息、信息量和通信质量 通信的相关概念 12.1 模拟通信和数字通信 12.2 信息、信息量和通信质量 12.3 返回 12.1.1通信 广义的通信,泛指一切传递信息的过程。信息的载体被称为消息,也可被称为信号。目前最普遍的一种通信模式是将各种类型的消息转换为电信号,然后通过电通信对信息进行传递。 12.1通信的相关概念 第12章信息、信息量和通信质量 返回 12.1.2通信的模型 通信的任务就是把信息发送出去,让对方接收到。 通信有三个重要的部分: 1)发送设备:其职能是将携带信息的信号发送出去,又叫做发射机。 2)接收设备:其职能是将接收发射来的信号然后传送给通信的对 象,又叫接收机。 3)通信系统:其职能是将信号由发射机传输到接收机。 12.1通信的相关概念 通信最基础的模型 稍复杂的通信模型 第12章信息、信息量和通信质量 12.1.3通信的分类 1)模拟通信系统 2)数字通信系统 按信号 特征分 按调制 方式分 1)基带信号传输系统 2)调制信号传输系统 1)单工方式 2)双工方式 3)半双工方式 按传输 方式分 1)一对一的通信 2)一对多的通信 按发送和 接收的参 与者个数 分 12.1通信的相关概念 第12章信息、信息量和通信质量 调制传输系统模型 单工、双工和半双工方式 12.1通信的相关概念 第12章信息、信息量和通信质量 12.1.4基带信号和带通信号(已调制信号) 信号带宽:指的是该信号最高频率分量和最低频率分量之间的差值。 基带信号:是指其带宽值与中心频率相接近的信号。 带通信号:与基带信号相反,信号的带宽值比中心频率值要小得多。 12.1通信的相关概念 基带信号和带通信号 第12章信息、信息量和通信质量 12.2.1模拟信号和模拟通信 模拟信号:通常是指在时间上连续,在取值上也是连续变化的信号。 模拟基带传输系统:发射机直接把模拟基带信号通过信道传输到接收机。 模拟调制传输系统:是指调制—传输—解调模式的通信系统。 12.2模拟通信和数字通信 返回 模拟基带传输系统和 模拟调制传输系统图 第12章信息、信息量和通信质量 12.2.2数字信号和数字通信 数字信号:通常指在时间上和取值上都是离散变化的信号。 数字基带信号:是具有较低频率分量的数字信号 。 数字调制信号:是指将数字基带信号搬移到较高频段后生成的信号。 数字基带传输系统:直接传输数字基带信号的系统。 数字调制传输系统:是指发送方先对基带数字信号进行调制,得到数字调制信号,然后传输,接收方在收到数字调制信号后再进行解调,以恢复数字基带信号。 12.2模拟通信和数字通信 第12章信息、信息量和通信质量 数字基带传输系统和数字调制传输系统图 基带数字信号和模拟电流波形表示码元数值 12.2模拟通信和数字通信 第12章信息、信息量和通信质量 引入信源编码和解码的数字通信模型 包含信源编码和信道编码的数字调制传输系统模型 12.2模拟通信和数字通信 第12章信息、信息量和通信质量 12.2.3模拟通信和数字通信的比较 (1)数字通信直接对数字信号进行传输,易于与计算机连接使用。  (2)数字通信采用数字化方式表示信息,便于信息的存储、分析和处理,易于实现软件化和标准化。  (3)数字通信抗干扰能力强。 (4)数字通信便于加密。 (5)数字通信器件易于集成化,成本也较模拟通信低。 (6)数字通信器件稳定性好。 (7)数字通信系统的动态范围(系统能处理的最大值和最小值之间的差距)更大。 12.2模拟通信和数字通信 第12章信息、信息量和通信质量 数字通信的缺点: 1)要占用很大的带宽。 2)因要求同步就需要考虑双方(或多方)计时设备的频率差异、相位差异和传输造成的延时。 12.2模拟通信和数字通信 数字通信中继改善信号示意图 第12章信息、信息量和通信质量 12.3.1信息和信息量 信息可以理解为对客观事物的某种有效描述。在对信息的研究中,需要衡量信息量的多少。 12.3信息、信息量和通信质量 返回 12.3.2噪声 在电信号传输过程中所有的干扰统称为噪声。 按照其来源(噪声源)的不同,分为内部噪声和外部噪声两大类。 最常用的衡量噪声影响的指标是信噪比。 信噪比的表达式为: 第12章信息、信息量和通信质量 12.3.3通信质量 衡量通信系统的好坏,常用的两个指标是有效性和可靠性。 1.通信系统的有效性 模拟通信中:其表达为当传输同样的信息时,系统占用带宽的多少。(占用少则高;占用多则低) 数字通信中:有效性又包含两个指标,即传输速率和频带利用率。 (1)传输速率:等于系统每秒钟传输的码元数,再乘以每一个码元包含的信息量。 12.3信息、信息量和通信质量 加性噪声对信号的影响 第12章信息、信息量和通信质量 2.通信系统的可靠性 通信系统的可靠性是指接收方接收到消息的质量。 1)模拟通信中,可靠性用接收信号的信噪比来衡量。 2)数字通信中,可靠性主要用差错率衡量。 差错率包括误比特率 Pb 和误码元率 Ps (2)频带利用率:是指一个通信系统保持某个传输速率时,需要占用的信道带宽。 12.3信息、信息量和通信质量 误码元率: 误比特率: 第12章信息、信息量和通信质量 结 束 语 相位条件起振条件 集成运算放大器的图形符号 μA741运放的幅频响应 3.非线时序逻辑电路的分析 就是根据所给的电路逻辑图找出电路所实现的功能。 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.4时序逻辑电路 时序逻辑电路时序图 时序逻辑电路状态图 同步时序逻辑电路分析步骤流程图 9.5.1寄存器 寄存器可以由 RS 触发器、JK 触发器、D 触发器构成,各触发器通常在同一个时钟源的作用下工作。 9.5寄存器和移位寄存器 第9章集成触发器和时序逻辑电路 D 触发器构成的寄存器 返回 如果要扩大寄存器位数,可以使用多个触发器进行级联或者通过扩展集成触发器来实现。 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.5寄存器和 移位寄存器 7477的电路图和功能图 (由4个 D 触发器构成的集成寄存器) RS 触发器构成的寄存器 (寄存器有两个控制脉冲, 称为双拍工作方式的寄存器) 9.5.2移位寄存器 移位寄存器既可以寄存数码,又可以在时钟脉冲的控制下实现寄存器中的数码向左或者向右移动。 第9章集成触发器和时序逻辑电路 JK 触发器组成的3位右移寄存器 JK 触发器组成的3位 右移寄存器状态表 9.5寄存器和移位寄存器 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.6计数器 返回 计数器是一种常用的时序逻辑功能器件。按照时钟信号 CP 控制方式的不同,可以分为异步计数器和同步计数器;按照计数规律的不同,可以分为加法计数器和减法计数器等。 3位二进制异步加法计数器 3位二进制异步减法计数器 (b)转换方法二 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.6计数器 3位二进制同步减法 计数器电路图 3位二进制同步减法 计数器状态图 第10章脉冲的产生和整形电路 脉冲电路概述 10.1 单稳态触发器 10.2 施密特触发器 10.3 多谐振荡器 10.4 555定时器 10.5 返回 脉冲信号可以是周期性重复的,也可以是非周期性的,更广义地讲,凡是不具有连续正弦波形状的信号都可以通称为脉冲信号。 10.1脉冲电路概述 第10章脉冲的产生和整形电路 返回 获得矩形脉冲主要有两种途径:一种是利用脉冲信号发生器直接产生符合要求的矩形脉冲,另一种就是利用整形电路对已有信号进行变换,最终得到符合要求的矩形脉冲。 脉冲波形 (a)方波 (b)矩形波 (d)锯齿波 (c)尖峰波 10.2.1门电路构成的单稳态触发器 1.工作原理 1)无触发信号,电路处于稳态 2)触发信号到来,电路进入暂稳态 3)电路自动从暂稳态回复至稳态 10.2单稳态触发器 第10章脉冲的产生和整形电路 返回 CMOS或非门微分型单稳态触发器电路 2.电路波形 电路中有关点的波形 10.2.2集成单稳态触发器 的两种触发方式 集成单稳态触发器按照不同的触发方式,可以分为不可重复触发和可重复触发单稳态触发器。 第10章脉冲的产生和整形电路 10.2单稳态触发器 改进后的微分型单稳态触发器电路 两种单稳态触发器的工作波形 (a)不可重 复触发单稳态 触发器工作波 (b)可重复 触发单稳态触 发器工作波 10.3.1门电路构成的施密特触发器 1.工作原理  CMOS门组成的施密特触发器,电路是把两级反相器串接,再通过分压电阻把输出电压反馈到输入端即可。 10.3施密特触发器 第10章脉冲的产生和整形电路 返回 由CMOS门组成的施密特触发器 2.电路波形 第10章脉冲的产生和整形电路 施密特触发器波形、传输特性及逻辑符号 10.3施密特触发器 10.3.2集成施密特触发器 第10章脉冲的产生和整形电路 集成施密特触发器74LS132 (b)逻辑符号 (a)内部逻辑图和引脚排列 10.3施密特触发器 10.3.3施密特触发器的应用 1.脉冲整形  2.波形变换 3.脉冲幅度鉴别 第10章脉冲的产生和整形电路 施密特触发器实现脉冲波形整形 施密特触发器用于鉴幅的波形 施密特触发器实现波形变换 10.3施密特触发器 10.4.1门电路组成的多谐振荡器 多谐振荡器电路一般由开关器件(反相器) 和反馈延时环节(RC电路)组成。 10.4多谐振荡器 第10章脉冲的产生和整形电路 返回 CMOS门电路组成的多谐振荡器 多谐振荡器波形图 10.4.2石英晶体振荡器 石英晶体具有很好的选频特性,有很低的阻抗性。将石英晶体串接在多谐振荡器中就可以组成石英晶体振荡器。 第10章脉冲的产生和整形电路 石英晶体的图形符号和阻抗频率特性 石英晶体多谐振荡器 10.4多谐振荡器 10.5.1555定时器的结构与功能 555集成定时器是一种模拟电路和数字电路相结合的多功能集成器件。 3个“5”表示的是该集成基片上的基准电压电路是由3个误差极小的5 kΩ电阻组成的,分压精度很高。 根据内部器件类型可分为双极型(TTL型)和单极型(CMOS型) 10.5555定时器 第10章脉冲的产生和整形电路 返回 1.电路结构 555定时器引脚图 2.电路功能 第10章脉冲的产生和整形电路 555定时器电 路结构图 555定时器功能表 10.5555定时器 10.5.2555定时器的典型应用 1.由555定时器组成单稳态触发器 第10章脉冲的产生和整形电路 10.5555定时器 2.555定时器构成的施密特触发器 第10章脉冲的产生和整形电路 10.5555定时器 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 半导体存储器 11.1 可编程逻辑器件 11.2 返回 11.1.1只读存储器 只读存储器ROM存储的内容是固定不变的,工作时只能读出信息,但不能随时写入信息,所以称为只读存储器。 11.1半导体存储器 返回 1.只读存储器ROM的基本结构 ROM由地址译码器、存储矩阵和读出电路3部分组成。 ROM的基本结构图 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 2.只读存储器ROM的工作原理 只读存储器ROM原理图 11.1半导体存储器 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 11.1半导体存储器 3.ROM的分类 1)掩膜ROM 2)可编程只读存储器PROM 3)可擦除可编程只读存储器EPROM 4)电可擦除只读存储器EEPROM 5)快闪存储器 4.ROM的应用 在数字系统中,ROM的应用十分广泛,可以实现组合逻辑函数、存储计算机的数据和程序等功能。 PROM的存储单元结构图 11.1.2随机存取存储器 RAM 1.RAM的基本结构和工作原理  随机存取存储器RAM由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路组成。 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 11.1半导体存储器 RAM的基本结构 RAM存储矩阵 2.RAM存储单元的类型 1)静态随机存取存储器SRAM 静态存储单元由触发器和门控管组成,基本机构和ROM相类似。 2)动态随机存取存储器DRAM 动态存储单元是由MOS管的栅极电容和门控管组成的。 11.1.3 存储器容量的扩展 1.位扩展方式 当存储器的字数够用,而每个字的位数不够用时,可以通过把地址线并接进行位扩展,从而组成位数更多的存储器。 2.字扩展方式 通过利用外加译码器来控制芯片的片选端 来选择不同的芯片进行工作。 11.1半导体存储器 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 3.同时位扩展和字扩展方式 存储器芯片的字长 和容量均不符合存储器 系统的要求时,将位扩 展和字扩展两种方法结 合起来,从而满足存储 容量的要求。 11.1半导体存储器 RAM的位扩展 RAM的字扩展 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 11.2.1概述 1.PLD器件的发展概况 2.PLD器件的特点 1)功能集成度高 2)开发效率高 3)系统工作速度快 3.PLD器件的表示方法 1)输入、输出缓冲器 2)与门表示法 3)或门表示法 11.2可编程逻辑器件 返回 输入、输出缓冲器表示法 PLD 与门表示法 PLD或门表示法 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 4.PLD器件的基本结构 11.2可编程逻辑器件 PLD器件的基本结构图 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 11.2.2低密度可编程逻辑器件及其应用 1.PROM及其应用 PROM由固定的与阵列和可编程的或阵列构成。 PROM逻辑图 PROM可以作为计算机中 的存储器,也可以方便地 实现任何组合逻辑函数。 11.2可编程逻辑器件 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 2.PLA及其应用 PLA由可编程的与阵列和可编程的或阵列构成。 3.PAL及其应用 PAL由可编程的与阵列和固定的或阵列构成,但其输出方式固定而不能重新组态,编程是一次性的,使用起来有很大局限性。 1)专用输出结构 11.2可编程逻辑器件 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 PAL专用输出结构 2)可编程 I/O 结构 11.2可编程逻辑器件 3)寄存器输出结构 PAL可编程 I/O 结构 PAL寄存器输出结构 第11章半导体存储器和可编程逻辑器件 7.2.1电容滤波电路 电容滤波电路利用了电容 “通交阻直”的特点。 7.2滤 波 电 路 第7章直流稳压电源 7.2.2电感滤波电路 电感滤波电路利用了电感“通直阻交”的特点。 返回 桥式整流电容滤波电路 桥式整流电感滤波电路 7.3.1稳压电路的主要技术指标 7.3稳 压 电 路 第7章直流稳压电源 1.稳压系数Sr 2.负载调整特性SI 3.输出电阻RO 4.纹波抑制比SR 返回 7.3.2稳压管稳压电路 由稳压二极管 DZ 和限流电阻 R 构成的最简单的稳压电路。 第7章直流稳压电源 7.3稳 压 电 路 硅稳压二极管稳压电路 1.负载电流不变,电源电压变化 第7章直流稳压电源 2. 电源电压不变,负载电流变化 整个稳 压过程 整个稳 压过程 7.3稳 压 电 路 7.3.3串联反馈式稳压电路 串联型稳压电路一般由基准电压、比较放大、调整电路和取样电路四部分构成。(特点:工作电流较大,输出电压一般可连续调节,稳压性能好。) 第7章直流稳压电源 串联型稳压电路框图 7.3稳 压 电 路 第7章直流稳压电源 7.4开关稳压电源 7.4.1开关稳压电源的特点 1.功耗小,效率高 2.稳压范围宽 3.体积小,重量轻 4.稳定性和可靠性高 5.电路形式灵活多样 7.4.2开关集成稳压器及其应用 开关集成稳压器是将基准电压源、三角波发生器和比较器等集成到一块芯片上,做成各种封装。(可以使电路结构简化、体积减小、开发周期缩短,电路的可靠性得到提高) 返回 第7章直流稳压电源 7.4开关稳压电源 其主要技术参数如下: (1)输入电压:3.5~40 V; (2)输出电压:1.23~37 V; (3)输出电流:3 A; (4)振荡器固定频率:52 kHz; (5)具有热关闭和限流保护功能。 LM2576 - ADJ引脚图 LM2576 - ADJ应用电路 第8章数字电路基础 概述 8.1 数制及二进制代码 8.2 逻辑代数基础 8.3 返回 8.1.1模拟信号和数字信号 表示模拟量的电信号称为模拟信号;用于表示数字量的电信号称为数字信号。数字信号在时间上和数值上均是离散的。数字信号是一种脉冲信号。 8.1概述 第8章数字电路基础 返回 模拟信号和数字信号 实际的脉冲波形 8.1.2数字电路的特点 (1)数字技术能够完成许多复杂的信号处理工作。 (2)数字电路不仅能够完成算术运算,而且能够完成逻辑运算,具有逻辑推理和逻辑判断的能力,因此也被称为数字逻辑电路或逻辑电路,这在控制系统中非常重要。 (3)由数字电路组成的数字系统,抗干扰能力强,可靠性高,精确性和稳定性好,便于使用、维护和进行故障诊断,容易完成实时处理任务。 (4)高速度,低功耗,可编程。 第8章数字电路基础 8.1概述 8.2.1进位计数制 1.十进制 十进制是用 0,1,2,…,9十个不同的数码按一定的规律排成序列计数。 8.2数制及二进制代码 第8章数字电路基础 返回 可以表示任意一个十进制数 十进制数的基本特点是: (1)采用0,1,2,…,9 这十个不同的数码来计数,基数为10。 (2)计数规律是“逢十进一”或“借一当十”。 Ki 为基数10的第i次幂的系数,它可以是0~9中任意一个数字 2.二进制 与十进制数的排序规律相似,区别仅在于基数不同。 第8章数字电路基础 可以表示任意一个二进制数 二进制数的基本特点是: (1)采用0和1两个数码来计数,基数为2。 (2)计数规律是“逢二进一”,即1+1=10(读做“一零”)。 二进制数用下标“B”或“2”来表示,Ki 为0或1 8.2数制及二进制代码 3.十六进制 第8章数字电路基础 任意一个十六进制数均可表示为 十六进制数的基本特点是: (1)采用 0~9 和 A(10)、B(11)、C(12)、D(13)、E(14)、F(15)共16个数码,基数为16。 (2)计数规律是“逢十六进一”。 十六进制数用下标“H”或“16”来表示,Ki 为0~9和 A~F 中的任一数字 8.2数制及二进制代码 8.2.2不同进制之间的转换 1.其他进制数转换成十进制数 根据二进制数、十六进制数的位权展开式展开相加,可以很方便地将一个数转换成十进制数。 2.十进制数转换成其他进制数 要对整数部分和小数部分分开转换,整数部分采用连除基数取余,再将余数逆序排列得到转换数据的整数部分,小数部分则采用连乘基数取整,再将整数顺序排列得到转换数据的小数部分。 第8章数字电路基础 8.2数制及二进制代码 3.二进制数与十六进制数的相互转换 二进制数转换为十六进制数时,每4位二进制数对应转换成1位十六进制数,整数部分从小数点往左每4位一组,最高位组若不够4位则补0,小数部分从小数点往右每4位一组,最后一组不够4位也补0。将十六进制数转换成二进制数,只要把每1位十六进制数转换成对应的4位二进制数即可。 第8章数字电路基础 8.2.4码制 为了便于记忆、查找、区别,在编制各种代码时,总要遵循一定的规律,这一规律称为码制。 8421码制编制的代码又称为BCD码,意指这种编码为“以二进制编码的十进制码”。(8、4、2、1是十位二进制数所在位的权。) 8.2数制及二进制代码 8.3逻辑代数基础 第8章数字电路基础 8.3.1基本逻辑运算 1.与运算 与运算的逻辑表达式为:F=A?B=AB 其中“?”表示与逻辑,通常可以省略 2.或运算 或运算的逻辑表达式为:F=A+B 符号“+”表示A、B做或运算,也 称逻辑加 返回 逻辑运算 或逻辑运算 第8章数字电路基础 3.非运算 非运算的逻辑表达式为: 非逻辑运算 4.复合逻辑运算 1)与非运算 逻辑表达式为: 输入、输出端能实现与非运算的电路称为与非门。 2)或非运算 逻辑表达式为: 能实现或非运算的电路称为或非门。 或非逻辑符号 与非逻辑符号 8.3逻辑代数基础 第8章数字电路基础 8.3逻辑代数基础 3)与或非运算 逻辑表达式为: 4)异或运算 逻辑表达式为: 5)同或运算 逻辑表达式为: 同或逻辑符号 异或逻辑符号 与或非逻辑符号 8.3.2基本定律、公式和常用规则 1.基本定律和常用公式 第8章数字电路基础 8.3逻辑代数基础 第8章数字电路基础 8.3逻辑代数基础 2.逻辑代数的基本规则 1)代入规则 在任何一个逻辑等式中,如果等式两边出现相同的变量,如变量A,可以将所有含A的地方代之以同一个逻辑函数 F,等式仍然成立,这个规则就称为代入规则。 2)反演规则 第8章数字电路基础 8.3逻辑代数基础 3)对偶规则 第9章集成触发器和时序逻辑电路 返回 基本RS触发器 9.1 同步触发器 9.2 主从触发器 9.3 时序逻辑电路 9.4 寄存器和移位寄存器 9.5 计数器 9.6 9.1基本 RS 触发器 第9章集成触发器和时序逻辑电路 返回 9.1.1基本 RS 触发器工作原理 两个与非门构成基本 RS 触发器,输入端口用 和 表示,为直接复位端, 为直接置位端,Q 和 是两个互补的输出端口。 用与非门构成的 基本RS触发器 9.1.2触发器的功能描述 触发器的逻辑功能可以用功能表、特征方程、状态图等来描述。 9.2.1同步 RS 触发器 为使基本 RS 触发器能在时钟源的控制下工作,在基本 RS 触发器输入端加两个两输入与非门作为引导门。 9.2同步触发器 第9章集成触发器和时序逻辑电路 返回 同步RS触发器电路结构及其逻辑符号 同步 RS 触发器的状态表 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.2同步触发器 同步 RS 触发器的 特征方程 9.2.2同步 D 触发器 第9章集成触发器和时序逻辑电路 同步 D 触发器的特征方程 同步D触发器电路结构 同步D触发器的状态表 9.2同步触发器 9.2.3同步 JK 触发器 把同步 RS 触发器输入端口 R和 S 分别接两输入与门的输出端口就可以得到同步 JK 触发器。 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.2同步触发器 同步 JK 触发器电路结构 同步 JK 触发器特征方程: 同步 JK 触发器的状态表: 9.2.4同步 T 触发器 把同步 JK 触发器输入端口J和K连接在一起作为输入端T就得到同步 T触发器。 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.2同步触发器 同步 T 触发器电路结构 同步 T 触发器的状态表: 同步 T 触发器特征方程: 9.3.1主从RS触发器 主触发器的输入为整个主从触发器的输入,而从触发器的输出为整个主从触发器的输出。 9.3主从触发器 第9章集成触发器和时序逻辑电路 返回 主从 RS 触发器电路结构及逻辑符号 第9章集成触发器和时序逻辑电路 9.3主从触发器 9.3.2主从 JK 触发器 为了消除主从 RS 触发器的约束条件,在主从 RS 触发器的输入端加两个两输入与门,把主从 RS 触发器互补的输出端 Q 和反馈到输入端。 主从 JK 触发器电路结构及逻辑符号 9.4.1概念 时序逻辑电路的重要概念就是时间顺序,在时序逻辑电路中即使有相同的输入,也可能因为输入的时间不相同而造成输出的不同。 9.4时序逻辑电路 第9章集成触发器和时序逻辑电路 同步时序逻辑电路 异步时序逻辑电路 按时序逻辑电 路中触发器触 发方式 分类: 时序逻辑电路示意图 返回 常用的时序逻辑电路描述方法有方程式、状态表、状态图和时序图。 第9章集成触发器和时序逻辑电路 ●描述的是触发器的动态行为,显示了触发器如何根据当前所处的状态对不同的情况做出反应。 方程式 ●可以确定时序逻辑电路的功能。 ●是一组描述输入信号、输出信号、触发器现态和次态之间关系的表格。 ●描述的是在时钟源CP作用下时序逻辑电路的状态及输出随输入和时间变化的波形。 状态表 状态图 时序图 9.4时序逻辑电路 3.3.1产生自激振荡的原因和条件 1.自激振荡产生的原因 AF的附加相移是产生自激振荡的最根本原因之一。 3.3负反馈放大电路的自激振荡 第3章负反馈放大器 2.自激振荡产生的条件 同时满足起振条件和相位条件时,电路就会产生自激振荡。 相位条件: 起振条件: 负反馈放大电路的自激振荡 返回 3.自激振荡的判断 通常利用其回路增益AF的波特图来考查 第3章负反馈放大器 放大电路AF的波特图 3.3负反馈放大电路的自激振荡 第3章负反馈放大器 3.3.2消除自激振荡的方法 消除自激振荡的最基本方法之一是采用相位补偿网络。其可分成:滞后补偿、相位超前—滞后补偿和超前补偿三大类。 1.电容滞后补偿 方法简单,但它以牺牲带宽为代价来消除自激振荡,使频带变窄了。 2.RC滞后补偿 采用RC串联网络来取代电容滞后补偿中的电容C。 电容滞后补偿 3.3负反馈放大电路的自激振荡 第4章集成运算放大器 集成运算放大器的组成和符号 4.1 集成运算放大器的主要参数 4.2 专用集成运放及使用 4.3 返回 4.1集成运算放大器的组成和符号 第4章集成运算放大器 返回 运算放大器通常由输入 级、中间级、输出级和偏置 电路4部分组成。 集成运放的外形 集成运算放大器的结构方框图 集成运算放大器的通用符号和标准符号 第4章集成运算放大器 集成运算放大器的图形符号 4.1集成运算放大器的组成和符号 1.输入失调电压 UIO 4.2集成运算放大器的主要参数 第4章集成运算放大器 2.输入失调电流 IIO 3.开环放大倍数 AUO和带宽BW μA741运放的幅频响应 返回 4.差模输入电阻 rid 差模输入电阻是指输入差模信号时运放的输入电阻,其值一般为几百千欧至数兆欧。rid 越大,对信号源的影响及所引起的动态误差越小。 第4章集成运算放大器 5.最大差模输入电压 UIDmax 是指集成运放的反相和同相输入端所能承受的最大电压值。超过此值,运放的性能将显著恶化,甚至造成永久性损坏。 6.共模抑制比 KCMR  抑制共模信号的能力用共模抑制比来表示  单位用分贝表示 4.2集成运算放大器的主要参数 4.3专用集成运放及使用 第4章集成运算放大器 4.3.1 专用集成运放简介 1.低输入失调电压型:无信号时,运算放大器正、负输入端之间产生的电压称为失调电压,在理想状态下应为零。 2.高精度、低漂移型:在电路结构上除采用低噪声差分输入级外,还采用热匹配设计和低温度系数的精密电阻,或者在电路上加入自动控温系统电路以减小温度漂移。 3.高速型:指输出端能对输入端信号的变化作出快速反应,一般通过转换速率来描述其性能。 4.低功耗型:在电源电压±15 V时,最大功耗较小,并能保持良好的电气性能。 5.高压型:工作电压在±20 V以上的运算放大器。 返回 第4章集成运算放大器 6.低输入偏流型:主要应用于小电流测定电路、电流—电压转换器和高阻抗转换器等。 7.可编程序型:通过调整控制端电流 Iset ,可使输入电压、输入偏置电流和静态功耗等参数达到给定的值。 4.3.2 集成运放的选择 首先理解设计说明书和产品说明书介绍的运算放大器参数的含义,了解其参数是否满足电路的要求,然后对电路作必要的修改,找出所选运放的外部接线图进行连接。若有相同类型的集成运放,应选择失调电压小、调零效果好、补偿电容小、输出幅度合适又不产生失真的运放,同时还要考虑信号源的性质、负载的性质、环境条件影响等其他因素。 4.3专用集成运放及使用 第5章功率放大电路 返回 功率放大电路的特点和分类 5.1 互补对称功率放大电路 5.2 集成功率放大器 5.3 功率放大电路中的问题 5.4 1.输出功率要大 2.效率要高 3.非线.功率管的散热和保护 1)功率管的散热:必须保证散热片与管壳有良好的接触,有效的接触面积应尽可能大,散热片应涂成黑色,以易于吸热、散热。  2)功放管的保护 5.分析方法 电压放大电路的目标是使负载得到较大的不失真电压信号,它是“小信号”放大,以微变等效电路分析方法为主。 功放的目标是向负载提供足够大的功率,它工作在“大信号”状态,通常采用图解法来分析。 第5章功率放大电路 5.1功率放大电路的特点和分类 返回 6.功率放大器的分类 1)甲类工作状态 2)乙类工作状态 3)甲乙类工作状态 第5章功率放大电路 5.1功率放大电路 的特点和分类 功率放大器的3种工作状态 5.2.1OCL互补对称 功率放大电路 在电路中,由于 T1 、T2 互相对称,交替工作,相互 补充,共同完成放大功能, 所以称该电路为乙类互补对 称功率放大电路。这种电路 又称为无输出电容的功率放 大电路,即 OCL 电路。 5.2互补对称功率放大电路 第5章功率放大电路 OCL功率放大器 返回 5.2.2OTL互补对称功率放大电路 1.甲乙类OTL互补对称功率放 大电路 采用一个电源的互补对称功率放大电路,这种形式的电路称为 OTL 电路(无输出变压器)。 2.工作原理 3.性能分析 第5章功率放大电路 5.2互补对称功率放大电路 采用一个电源的互补对称电路 集成功率放大器不仅体积小、重量轻、成本低、外接元件少、调试简单、使用方便,而且在性能上也十分优越。 5.3集成功率放大器 第5章功率放大电路 TBA820M电路原理图 属于单片集成电路---低频乙类 返回 1.功率三极管的散热问题 在三极管中,集电极耗散功率是产生热量的来源。三极管依靠本身外壳散热的效果较差。为了提高集电极允许的功耗 PCM ,通常要加散热装置。 2.功率三极管的二次击穿问题 3.为保证器件正常运行可采取的保护措施 5.4功率放大电路中的问题 第5章功率放大电路 由ICM、PCM、U(BR)CEO和二次击穿临界曲线限制的安全工作区 返回 第6章正弦波振荡电路 返回 正弦波振荡电路的振荡条件 6.1 RC正弦波振荡电路 6.2 LC正弦波振荡电路 6.3 石英晶体振荡电路 6.4 正弦波振荡电路的基本结构是放大器和反馈网络构成的正反馈电路。 6.1正弦波振荡电路的振荡条件 第6章正弦波振荡电路 返回 引起自激振荡必须有正反馈和 ,所以把它称为起振条件 称为振荡平衡条件 幅度平衡条件 相位平衡条件 正弦波振荡电路的方框图 正弦波振荡电路一般由以下几部分组成: (1)检查电路是否存在放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节等四个重要的组成部分。 (2)检查放大电路的静态工作点是否能保证放大电路正常工作。 (3)用瞬时极性法判断电路是否仅在f=f0时引入了正反馈,即是否满足相位平衡条件。如果满足,则说明电路有可能产生正弦波振荡。 (4)判断电路是否满足起振条件。如果既满足相位平衡条件,又满足起振条件,那么该电路可以产生正弦波。 第6章正弦波振荡电路 6.1正弦波振荡电路的振荡条件 RC正弦波振荡电路有 桥式振荡电路、双 T 网络 式振荡电路和移相式振荡 电路等类型。它们组成的 共同特点是由放大和正反 馈两部分组成,选频网络 在正反馈中,稳幅环节一 般设置在放大部分。 6.2RC正弦波振荡电路 第6章正弦波振荡电路 返回 RC串并联网络 6.3.1变压器反馈式 LC振荡电路 由放大电路、变压器反馈 电路和选频电路三部分组成。 6.3LC正弦波振荡电路 第6章正弦波振荡电路 变压器反馈式LC振荡电路 返回 电路的正弦波振荡频率为: 6.3.2三点式LC振荡电路 1.电感三点式LC振荡 电路 由于电感线圈的三个抽头交流通路分别接晶体管的三个极,故称为电感三点式正弦波振荡电路,又称为哈特莱(Hartley)振荡电路。 第6章正弦波振荡电路 6.3LC正弦波振荡电路 振荡频率: 电感三点式LC振荡电路 2.电容三点式LC振荡电路 由于三极管的三个电极分别与回路电容 C1 和 C2 的三个端点相连,故称为电容三点式振荡电路,又称为考毕兹(Colpitts)电路。 第6章正弦波振荡电路 振荡频率: 电容三点式LC振荡电路 6.3LC正弦波振荡电路 1.石英晶体的基本特性和等效电路 6.4石英晶体振荡电路 第6章正弦波振荡电路 石英晶体等效电路及频率特性 返回 2.石英晶体振荡电路 第6章正弦波振荡电路 并联型石英晶体振荡电路 串联型石英晶体振荡电路 6.4石英晶体振荡电路 第7章直流稳压电源 返回 单相整流电路 7.1 滤 波 电 路 7.2 稳 压 电 路 7.3 开关稳压电源 7.4 直流稳压电源一般由电源变压器、整流电路、滤波电路及稳压电路四部分组成。 7.1单相整流电路 第7章直流稳压电源 返回 直流稳压电源结构框图 7.1.1单相半波整流电路 由电源变压器 Tr 、整流二极管 D 和负载RL 构成。 第7章直流稳压电源 7.1单相整流电路 7.1.2单相全波整流电路 全波整流电路由具有中心抽头的变压器 Tr ,两只二极管 D1 、D2和负载 RL 构成。 单相半波整流电路 第7章直流稳压电源 单相全波整流电路 全波整流电路波形图 7.1单相整流电路 7.1.3单相桥式整流电路 只有一个副边绕组的变压器,而整流部分则采用四只二极管接成电桥的形式,达到全波整流的目的。 第7章直流稳压电源 单相桥式整流电路 7.1单相整流电路 第7章直流稳压电源 桥式整流电路波形 及其简化画法 7.1单相整流电路 2.输入电阻:输入电阻 Ri 是指从放大电路输入端看进去的等效电阻。 第2章放大电路基础 输入电阻等效图 2.1基本共射极放大电路 3.输出电阻:输出电阻 Ro 是从放大电路输出端看进去的等效电阻。 第2章放大电路基础 输出电阻等效图 2.1基本共射极放大电路 4.频率响应:在输入正弦信号时,输出随输入信号频率连续变化的稳态响应称为放大电路的频率响应。 5.非线性失真:由放大电路非线性特性所引起的失线 基本共射极放大电路 1.放大电路各元件的作用 1)半导体三极管 2)基极电阻 3)集电极电阻 4)耦合电容 基本共射极放大电路 2.放大电路的工作原理 1)静态 2)动态 静态是基础,是放大电路能够放大的前提;动态实现了不失真地放大交流信号。 注意不论是静态还是动态,三极管都要工作在放大区。 第2章放大电路基础 2.1基本共射极放大电路 共射极放大电路的放大工作原理 2.2.1直流通路与交流通路 1.直流通路:是指没有加交流信号时,直流电源作用所形成的电流通路。画直流通路原则: (1)电容对直流量的电抗为无穷大,可视为开路。 (2)电感线圈的直流电阻非常小,可视为短路。 (3)电压信号源视为短路,但其内阻要保留。  2.交流通路:是指加入交流信号后,由交流信号作用所形成的电流通路。画交流通路原则: (1)对于大容量电容,对交流信号的容抗可忽略不计,视为短路。 (2)理想直流电源; 其内阻很小且恒定不变,对交流变化的量来说相当于与地短路。 第2章放大电路基础 返回 2.2放大电路的基本分析方法 2.2.2放大电路的等效电路及其分析 1.三极管的等效电路 第2章放大电路基础 共射极放大电路的直、交流通路 2.2放大电路的基本分析方法 1)输入回路 在画放大电路的等效 电路时,三极管输入回路 可用等效输入电阻 rbe 代 替。 2)输出回路 在画放大电路的等效电路 时,三极管输出回路可用 等效受控电流源代替,其 并联内阻为 rce(一般可忽 略)。 第2章放大电路基础 2.2放大电路的基本分析方法 三极管特性曲线.放大电路的微变等效电路 将放大电路的交流通路中的三极管用三极管等效电路代替,即可得到放大电路的等效电路。 2.2放大电路的基本分析方法 4.等效电路分析 动态分析的主要目的就是研究信号的传输情况,确定信号输出的大小、质量及是否失线章放大电路基础 共射极放大电路的微变等效电路 2.2放大电路的基本分析方法 2.2.3图解法 1.静态分析 图解法分析静态,主要是在三极管输出特性曲线上通过作图确定放大电路的静态工作点位置。 2.动态分析 动态工作点移动 的轨迹即为交流负载线章放大电路基础 共射极放大电路图解 共射极放大电路的特点:具有倒相作用 2.2放大电路的基本分析方法 2.3.1 温度对工作点的影响 会随温度的升高而产生变化。要想稳定电路的静态工作点,通常可采用分压式偏置电路来实现。 2.3静态工作点的稳定 第2章放大电路基础 2.3.2 射极偏置电路 分压偏置式放大电路 分压偏置式放大电路等效电路图 返回 2.4共集电极放大电路 第2章放大电路基础 返回 共集电极放大电路 (1)电压放大倍数为 2.4共集电极放大电路 第2章放大电路基础 (2)输入电阻为 (2)输入电阻为 第2章放大电路基础 2.5共基极放大电路 共基极放大电路的特点: (1)电流放大倍数小于等于1,因此不能作为电流放大。 (2)输入电阻低,输出电阻较高,共基极电路可作为恒流源。 (3)输入、输出电压同相位,电压放大倍数与共射放大电路的相同。 (4)频率特性好,常用在宽频带放大电路中。 小提示 返回 共基极放大电路 根据交流通路中输入回路、输出回路所用公共端的不同,可把场效应管放大电路分成共源极、共漏极和共栅极三种基本组态。 2.6场效应管放大电路 第2章放大电路基础 场效应管放大电路三种接法 返回 共源极放大电路:共源极放大电路在电路结构上类似于三极管的共发射极放大电路,并且也和三极管放大电路一样要设置合适的静态工作点,在信号的作用下,使场效应管能始终工作在饱和区,以确保电路能实现正常放大。 第2章放大电路基础 2.6场效应管放大电路 共源极放大电路 2.7.1 RC 电路的频率特性 1.RC 低通电路的频率特性 在放大电路的高频段,管子的极间电容和接线电容等是影响频率响应的主要因素。对高频响应的影响可以用RC低通电路模拟。 2.7放大电路的频率特性 第2章放大电路基础 返回 由图可得电压增益的表达式为: RC 低通电路 第2章放大电路基础 2.7放大电路的频率特性 1)幅频响应 2)相频响应 随着f的上升,AUH越来越小,而输出电压的相角越大,并且幅频响应和相频响应都和上限频率fH有确定的关系。 RC 低通电路的频率响应 2.RC 高通电路的频率特性 在放大电路的低频区里,耦合电容和射极旁路电容对低频响应的影响可用RC高通电路来模拟。 第2章放大电路基础 RC 高通电路 2.7放大电路的频率特性 第2章放大电路基础 高通电路的幅频和 相频响应曲线。f L 是转 折频率,即放大电路的 下限频率,虚线表示实际 的响应曲线放大电路的频率特性 RC高通电路的频率响应 2.7.2 单级放大电路的低频特性 1.低频等效电路的简化 第2章放大电路基础 低频小信号等效电路 2.7放大电路的频率特性 2.低频响应和下限频率 第2章放大电路基础 2.7放大电路的频率特性 低频电压增益的表达式 f L1 和f L2 是低频响应的两个转折频率,如果两者的比值在4倍以上,则取较大的那个为放大电路的下限频率。 由于 Ie =(1+β)Ib, 所以 Ce 的大小对电压增益的影响很大。 一般在电路中选择的射极旁路电容要比耦合电容大很多 小提示 第2章放大电路基础 2.7放大电路的频率特性 共射极放大电路高频区电路 2.7.3单级放大电路的高频特性 1.只考虑 Ci 的影响  影响高频区电压放大倍数降低的原因是 Ci 的分流作用,它使三极管的输入电压的数值随频率的升高而减小,输入电压的相位比信号源电压的相位滞后。 2.只考虑 Co 的影响 电路放大倍数的下降同样是因为电容的分流作用,高频截止频率也由输出回路的时间常数决定,其表达式为: 第2章放大电路基础 2.7放大电路的频率特性 第3章负反馈放大器 反馈的基本概念和负反馈的分类 3.1 负反馈对放大电路性能的影响 3.2 负反馈放大电路的自激振荡 3.3 返回 3.1.1反馈的基本概念 1.反馈的定义 在电子系统中,反馈就是指把输出回路的电量(电压或电流)的一部分或者全部以某种形式反送给输入回路,从而影响输入电量的过程。引入反馈的放大电路称为反馈放大电路。 3.1反馈的基本概念和负反馈的分类 第3章负反馈放大器 返回 反馈放大电路组成框图 2.正反馈与负反馈 使净输入信号比没有引入反馈的时候增加了,这种反馈就称为正反馈;使净输入信号比没有引入反馈的时候减小了,而净输入量的变化必然会引起输出量发生相应的变化,因此这种反馈称为负反馈。 第3章负反馈放大器 3.1反馈的基本概念和负反馈的分类 3.电压反馈与电流反馈 当取出的反馈信号与输出电压成比例时,即以放大电路的输出电压作为反馈网络的输入信号,这种反馈称为电压反馈;当取出的反馈信号与输出电流成比例时,即以电流作为反馈网络的输入信号,这种反馈称为电流反馈。 4.串联反馈与并联反馈 判断是串联反馈还是并联反馈时,通常根据输入端反馈信号与输入信号的比较方式来分析:当两者以电压的方式进行比较时,为串联反馈;若两者以电流的方式进行比较时,为并联反馈。 3.1.2负反馈放大电路的四种组态 1.电压串联负反馈 2.电压并联负反馈 第3章负反馈放大器 3.1反馈的基本概念和负反馈的分类 电压串联负反馈 电压并联负反馈 3.电流串联负反馈 4.电流并联负反馈 第3章负反馈放大器 3.1反馈的基本概念和负反馈的分类 电流串联负反馈 电流并联负反馈 3.2.1提高放大倍数的稳定性 放大电路的放大倍数取决于电路中元件的参数,但是引入负反馈后,放大电路的稳定性可以得到很大程度的提高。 3.2负反馈对放大电路性能的影响 第3章负反馈放大器 返回 3.2.2减小非线性失线改善放大器的频率特性 引入负反馈后,就可以利用负反馈的自动调整作用将通频带展宽。 第3章负反馈放大器 3.2负反馈对放大电路性能的影响 负反馈展宽了通频带 3.2.4对输入电阻和输出电阻的影响 1.对输入电阻的影响 放大器引入交流负反馈后,其输入电阻的变化情况取决于输入端的反馈方式,而与输出端是电压反馈还是电流反馈无关。天行体育官网如果输入端是串联反馈则输入电阻增大,如果是并联反馈则输入电阻减小。 2.对输出电阻的影响 负反馈对放大电路输出电阻的影响仅与反馈信号在输出端的取样方式有关,即与电压或电流反馈类型有关,而与输入端连接方式无关。如果输出端是电压负反馈则输出电阻减小,如果是电流负反馈则输出电阻增大。 第3章负反馈放大器 3.2负反馈对放大电路性能的影响 电子线章集成运算放大器 第3章负反馈放大器 第2章放大电路基础 第6章正弦波振荡电路 第11章 半导体存储器和可编程逻辑器件 第10章脉冲的产生和整形电路 第9章集成触发器和时序逻辑电路 第8章数字电路基础 第12章现代通信的基本知识 返回 第1章半导体器件 半导体基础知识 1.1 半导体二极管 1.2 半导体三极管 1.3 场效应管 1.4 1.1.1半导体特性 1.1半导体基础知识 第1章半导体器件 返回 热敏性: 1 当半导体的温度升高时,它的导电性能会随着温度的升高而增强,这 种特性就称为热敏性。 光敏性: 2 当半导体受到光的照射时,电子和空穴就会增多,导电性能也会随光 照的增强而增强,这种特性称为光敏性。 掺杂性: 3 当有目的地向纯净的半导体中掺入微量五价或三价元素时,其导电性 能会显著提高,可增加几十万乃至几百万倍,这种特性称为掺杂特性。。 1.1.2 半导体的导电方式 1.是自由电子做定向运动形成的电子电流;2.是空穴运动产生的电流。 第1章半导体器件 1.1半导体基础知识 硅和锗的原子结构简化模型及共价键结构 在半导体中存在着带负电的自由电子和带正电的空穴两种载流子,而金属导体中只有自由电子一种载流子,这是半导体和金属导体在导电机理上的本质区别。 第1章半导体器件 电子与空穴的移动以及两种载流子在电场中的运动 1.1半导体基础知识 1.1.3 N型半导体和P型半导体 (1)在本征半导体硅(或锗)中掺入五价的杂质元素,如磷,就可以得到N型半导体。自由电子是主要导电方式,故此类半导体也称为电子型半导体。 (2)在纯净的半导体硅(或锗)中掺入三价的杂质元素,如硼,就可以得到P型半导体。空穴是主要的导电方式,故此类半导体也称为空穴型半导体。 第1章半导体器件 1.1半导体基础知识 N型半导体 P型半导体 1.1.4 PN结及其特性 PN结是构成二极管、三极管等各种半导体器件的基础。 1.PN结的形成: 达到动态平衡 第1章半导体器件 1.1半导体基础知识 达到动态平衡的PN结 2.PN结的单向导电性 PN结在外加电压时具有单向导电性是PN结构成的半导体器件的主要工作原理 正向偏置时,PN结处于正向导通状态,其正向电阻较小,正向电流较大;反向偏置时,PN结处于反向截止状态,其反向电阻较大,反向电流很小。 1)PN结正向偏置:P区电位高于N区电位。PN结呈现低阻态,即PN结处于正向导通状态。  第1章半导体器件 1.1半导体基础知识 PN结加正向电压时导通 2)PN结反向偏置:N区电位高于P区电位。因是由热激发产生的,因而PN结的反向电流受温度影响很大。 第1章半导体器件 PN结加反向电压时截止 1.1半导体基础知识 1.2.1 二极管结构及其特性 1.二极管基本结构、符号及外形 分类: 按PN结工艺特点分为:点接触型和面接触型; 按用途分有:整流、稳压、开关、发光、光 电、变容、阻尼等; 按封装形式分有:塑封及金属封等; 按功率分有:大功率、中功率及小功率。 二极管的文字符号通常用字母 D(或VD)表示。  第1章半导体器件 1.2半导体二极管 返回 半导体二极管 第1章半导体器件 1.2半导体二极管 2.二极管特性 具有单向导电性,常利用伏安特性 曲线)温度对特性的影响: 4)理想二极管 : 二极管的伏安特性 理想二极管的伏安特性曲线 二极管的主要参数  第1章半导体器件 1.2半导体二极管 最大整流电流 反向工作峰值电压 反向峰值电流 主要参数 最高工作频率 IFM URM IRM fM 1.2.3二极管电路及其应用 1.整流电路:(半波、全波、桥式 及倍压整流) 2.检波电路 3.限幅电路 4.开关电路 第1章半导体器件 1.2半导体二极管 1.稳压二极管:又称齐纳二极 管,它是一种用特殊工艺制造的面 接触型二极管,在电路中与适当数 值的电阻配合后能起到稳压的作用。 1.2.4 特殊二极管 检波电路 稳压二极管符号 和伏安特性 2.发光二极管  3.光电二极管 4.变容二极管 第1章半导体器件 1.2半导体二极管 根据内部构造和原理,判断激光二极管好坏的方法是通过测试激光二极管的正、反向电阻来确定好坏。若正向电阻为20~30 kΩ,反向电阻为无穷大,说明正常;否则,要么激光二极管老化,要么损坏。 发光二极管电路符号 光电二极管电路符号 变容二极管电路符号 1.2.5 二极管的检测  二极管具有单向导电性,即性能良好的二极管,其正向电阻小,反向电阻大。利用这一特性采用万用表测量二极管的正向电阻和反向电阻就可以判断其好坏与极性。 第1章半导体器件 1.2半导体二极管 指针式万用表来测试二极管示意图 三极管又称晶体管,也是一种重要的半导体器件,是放大电路的核心元件。 1.3.1三极管的结构及分类 三极管由两个PN结、三个掺杂半导体区域组成。 1.3半导体三极管 第1章半导体器件 三极管的结构及电路符号 返回 三极管的分类:  根据区域排列次序可分为NPN型和PNP型两大类; 根据基片的材料不同,可分为锗管和硅管两大类;(硅管多为NPN型,锗管多为PNP型) 根据其工作频率特性分,可分为高频管和低频管; 根据功率大小分,可分为大功率管、中功率管和小功率管; 根据其工作状态又可分为放大管和开关管等。 第1章半导体器件 1.3半导体三极管 1.3.2 三极管的放大作用 1.三极管放大的外部条件:三极管要实现放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。 2.三极管的内部载流子的作用及放大原理 1)发射区向基区扩散载流子 2)载流子在基区扩散和复合 3)集电区收集从发射区扩散过来的电子 第1章半导体器件 1.3半导体三极管 三极管的共发射极交流电流放大系数β 三极管放大作用的实质——通过改变电流 IB 的大小,达到控制 IC 的目的, 即 IC = βIB 。因此,三极管是一种电流控制电流型器件。 三极管内部载流子运动及外部电流分配  三极管有三个电极,在放大电路中可有三种连接方式——共基极、共发射极(简称共射极)和共集电极。 第1章半导体器件 1.3半导体三极管  1.3.3三极管特性曲线 是指各电极间电压和电流之间的关系曲线,也称为伏安特性曲线,它能直观全面地反映三极管的性能,是分析放大电路的依据。 三极管的三种连接方式  1.三极管的输入特性曲线.三极管的输出特性曲线)放大区:输出特性曲线中近于水平部分的是放大区。 2)截止区:iB = 0曲线以下的区域称为截止区。 3)饱和区:输出特性曲线的陡直部分是饱和区。 第1章半导体器件 1.3半导体三极管 三极管的输入特性曲线 三极管的输出特性曲线.电流放大系数:是表征三极管电流放大能力的参数,当三极管为共发射极接法时,常用 和β来表示。 第1章半导体器件 1.3半导体三极管 在常用的工作范围内 β ≈ ,且基本不变,因此使用中一般不再严格区分 两者,统称为共发射极电流放大系数,用β表示。β值一般较大,所以共射极接 法下三极管具有较强的电流放大作用。 小提示 2.极间反向电流 1)集电极 - 基极反向饱和电流 ICBO 是指当发射极开路,集电结在反向电压作用下,形成的反向饱和电流。它受温度影响较大。  2)集电极发射极反向饱和电流ICEO 是指当三极管基极开路,而集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流,也称为穿透电流。 第1章半导体器件 1.3半导体三极管 选用三极管时,一般希望反向饱和电流尽量小些,以减小温度对其性能的影响。小功率硅管的 ICEO 在几微安以下,锗管的 ICEO 在几十微安以下。 小提示  3.极限参数 1)集电极最大允许电流ICM 2)反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO、U(BR)EBO 3)集电极最大允许耗散功率PCM  第1章半导体器件 1.3半导体三极管 知识拓展 三极管的型号判别 三极管型号组成 三极管典型外形及管脚排列方式  现在越来越多的电子电路特别是在音响领域都在普遍使用场效应三极管,简称场效应管。场效应管是一种电压控制电流型半导体器件,它利用改变外加电压产生的电场效应来控制其电流大小。具有体积小、重量轻、耗电少、寿命长,输入阻抗高、噪声低、工艺简单、动态范围大、易于集成、安全工作区域宽等优点。 1.4场效应管 第1章半导体器件 场效应管实物图 返回  场效应管分类: 第1章半导体器件 1.4场效应管 场效应管 N沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 结型 绝缘 栅型 P沟道 N沟道 P沟道 (耗尽型)  1.结型场效应管 第1章半导体器件 1.4场效应管 N沟道结型场效应管结构示意图 结型场效应管符号  2.MOS场效应管 第1章半导体器件 1.4场效应管 MOS场效应管基本结构 增强型MOS管符号 耗尽型MOS管符号 第2章放大电路基础 基本共射极放大电路 2.1 放大电路的基本分析方法 2.2 静态工作点的稳定 2.3 共集电极放大电路 2.4 共基极放大电路 2.5 场效应管放大电路 2.6 放大电路的频率特性 2.7 返回 2.1.1放大电路的概念 是指能够将微弱的电信号不失真地放大到需要的数值。实质是实现能量控制的过程。 1.放大倍数:也称放大增益,是描述一个放大电路放大能力的指标。 2.1基本共射极放大电路 第2章放大电路基础 返回 (2)电流放大倍数:输出电流与输入电流的比值,即 (1)电压放大倍数:输出电压与输入电压的比值,即 相位条件起振条件 集成运算放大器的图形符号 μA741运放的幅频响应 3.非线性失真要小

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