该【高频电子线路(知识点整理) 】是由【我是开始】上传分享，文档一共【25】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【高频电子线路(知识点整理) 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。天行体育下载高频电子线路重点
电抗(X)=容抗(—二)+感抗(wL) 阻抗=电阻(R)+j电抗(技L—二)
,(电抗)X=woL—Wc=,电容、电感消失了,相角等于0,谐振频率:W0=^JLC ,此时Z最
当ww0时,电流超前电压,相角小于0,X0阻抗是容性;当ww0时,电压超前电流,相角大于0,X0阻抗是
回路的品质因素数Q RwCR(除R),增大回路电阻,品质因数下降,谐振时,电感和电容两端的电位差大小等于外加电压的Q倍,相位0相反
回路总瞬时储能w=wL+wC=2CQ2V2sin2wt+KCQ2V2cos2w=KCQ2V2
△w=w(再加电压的频率)-w(回路谐振频率),当w和w很相近时,2△①
E=X/R=QX2^w/w是广义失谐,,w=w=w时,其值为1/V2,w-w为通频带,w,
是指:回路中储存的能量是不变的,只是在电感与电容之间相互转换;外加电动以维持回路的等幅振荡,而且谐振回路中电流最大。
R,Z-—(C1、CR+j(wC_X]R+jWL--- L\ WL/
反之w=V[1/LC-(R/L)2]=1/VRC•V1-Q2 WC)
当ww时,B0导纳是感性;当ww时,B0导纳是谷性
电感和电容支路的电流等于外加电流的Q倍,相位相反并联电阻减小品质因数下降通频带加宽,选择性变坏
为了减小信号源或负载电阻对谐振回路的影响,信号源或负载电阻不是直接接入回路,而是经过一些简单的变换电路,将它们部分接入回路。
低频:工作频率低,频带宽,采用无调谐负载;高频:工作频率高,频带窄,采用选频网络
3) 选择性从各种不同频率信号的总和(有用的和有害的)中选出有用信号,抑制干扰信号的能力
yfe越大,表示晶体管的放大能力越强;yre越大,表示晶体管的内部反馈越强。
Y=y-mfe Y=y——’refe A=%=_—Z^—
缺点:虽分析方便,但没有考虑晶体管内部的物理过程,物理含义不明显,随频率变化
引入扎入损耗、=回路无损耗时的输出功率(P1)/回路有损耗时的输出功率(匕)=
那么最大功率增益为(a)=上匕(1-4)2=(1—4)2(A) 此时的电压增益为A) =]ML(1—
选择性无论1^值为多大,其谐振曲线和理想的矩形相差甚远,选择性差(Km1)
(其中g2=g1g2)如果S=1,放大器可能产生自激振荡;]放大蕾离开自激状态就越远,工作就越稳定。一般要求S=5~10,A V0
什么是单向化:讨论如何消除yre(反向传输导纳)的反馈,变“双向元件”为“单向元件”的过程。
为什么单向化:由于晶体管内存在yre的反馈,所以它是一个“双向元件”。作为放大器工作时,yre的反馈作用可能引起放大器工作的不稳定。
信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配;晶体管输出端负载阻抗不与本级晶体管的输出阻抗匹配。
由元器件内部带电粒子的无规则运动产生,大多为白噪声(在整个频域内,功率谱密度均匀分布的噪声;亦即:所有不同频率点上能量相等的随机噪声)
功率谱密度览f=WR 噪声电压的均方值。2=4kTR•f 噪声电流的均方值2=
{其中k=-23J/K,波尔兹曼常数 T为绝对温度(=摄氏温度+273),单位为K
1) 热噪声:由漏、源之间的等效电阻产生;由沟道内电子不规则运动产生。
输入信噪比与输出信噪比的比值F=刁分贝F(dB)=10lgFnP/P n
当系统的输出信噪比给定时,有效输入信号功率P’si称为系统灵敏度,与之相对应得输入电压称为最小可检测信号
P’.=F(kT^f)(P’/P)===lgP’.=lgF+lg(kT^f)+lg(P’/P)书上116页例题sin nsono n sono
选用低噪声元、器件;正确选择晶体管放大级的直流工作点;选择合适的信号源内阻Rs;选择合适的工作宽度;选用合适的放大电路;降低主要器件的工作温度 S
高频功放,一般采用选频网络作为负载;新型宽带功放采用传输线:工作状态不同
低频功放,工作于甲类(360度)、甲乙类或乙类(180度)(限于推挽电路)状态;
天行体育