为了保证三极管具有放大作用,其内部应具有什么样的结构条件?外部加电原则是什么?
如何表示三极管的伏安特性和场效应管的伏安特性?它们的输出特性有何区别?
表征场效应管放大作用的重要参数是什么?何为场效应管的开启电压和夹断电压?
在自然界中存在着许多不同的物质,根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体
铜、铝、银等金属材料;将很难导电、电阻率大于的物质,称为绝缘体,例如塑
用半导体材料制作电子元器件,不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间,而是
由于其导电能力会随着温度的变化、天行体育平台光照或掺入杂质的多少发生显著的变化,这就是半导
体的热敏特性、光敏特性和掺杂特性。例如,纯净的半导体硅,当温度从升高到
时,电阻率减小一半;而金属导体铜,当温度从升高到时,电阻率的增加还不到
几乎减少到原来的百万分之一。可见,当半导体受热或掺入杂质后,导电性能会发生变化。
人们利用半导体的热敏特性和光敏特性可制作各种热敏元件和光敏元件,利用掺杂特性制
半导体为什么会具有这样一些特殊的性质呢?由于物质的导电性能取决于原子的外层
)和)所示。由图可见,硅和锗原子的最外层轨道上都有四个电子,同属于四价元
素。由于内层电子受原子核的束缚力很大,很难脱离原子核,为简化起见,将内层电子和
原子核看成一个整体,称为惯性核,它的净电量是四个正电子电量。最外层的四个电子受
原子核的束缚力较小,有可能成为自由电子,常称为价电子。硅或锗原子的简化模型如图
硅和锗都是晶体,晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵称为晶格。整块晶体
内部晶格排列完全一致的晶体称为单晶。硅和锗的单晶体即为本征半导体。硅或锗制成单
晶体后,相邻两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但受本身原子核的吸引,而且受相
邻原子核的吸引,从而将两个原子牢固地束缚在一起,这种共用价电子所形成的束缚作用
就叫共价键。硅或锗原子最外层的四个价电子,正好和相邻的四个原子中的价电子组成四
个共用电子对,构成四个共价键,使每个硅或锗原子的最外层电子获得稳定结构,如图
自由电子,与此同时,在该共价键上留下了空位,这个空位称为空穴。由于本征半导体在
室温下每产生一个自由电子必然会有一个空穴出现,即电子与空穴成对产生,称之为电子
一空穴对。这种由于本征半导体受热而产生电子一空穴对的现象称为本征激发。
通过上述分析可知,本征半导体导电依靠两种载流子自由电子和空穴。一方面,
本征激发能使本征半导体内自由电子和空穴成对产生,另一方面,有些自由电子和空穴在
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