随着离散功率晶体管（无论是硅基晶体管还是GaN-on-Si）进入最后一章，GaN的崛起正在利用GaN集成电路重新定义功率转换，工程师们应该通过创新基于GaN的解决方案来重新思考、重组和振兴其设计。
GaN电源器件、分立晶体管和集成电路已生产 10 多年，在电源器件尺寸更小、开关速度快的很多应用中取得了重大进展。这些器件已经比其先代的硅 MOSFET小5-15倍，具有相同的功率传递能力，但理论上来说，GaN的最大容量比它实际上要高300倍，尤其是集成的GaN on-Si ，以更低的成本提供更高的性能。
现在，在性能和成本方面已经打开了差距，既能够支持新应用，又可以显著提高现有应用的GaN集成技术的新领域是什么？
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